STP28NM50N，分立半導(dǎo)體產(chǎn)品，基本技術(shù)參數(shù)
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 21A |
| 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（值） | 158 毫歐 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1735pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 90W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
