TK10A60D，晶體管 - FET，MOSFET - 單
全新原裝，公司現(xiàn)貨銷售
型號(hào)：TK10A60D
品牌：TOSHIBA
封裝：TO220F
參數(shù)：
封裝 / 箱體: TO-220SIS-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 750 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: DTMOSIV
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK10A60D
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
寬度: 4.5 mm
商標(biāo): Toshiba
正向跨導(dǎo) - 值: 1.5 S
下降時(shí)間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
